美国《防务新闻》周刊网站2月28日报道 原题：经过长时间研发，国防业有了高性能芯片(记者戴夫·马宗达)

　　美国国防工业及政府官员表示，新一代电子芯片将注定给军事电子市场带来革命性的变化。

　　美国国防部高级研究项目局负责微系统技术的副局长马克·罗斯克表示，基于氮化镓的电子芯片已经达到了一定程度的可靠性和产量。这种新一代芯片将在很大程度上取代昔日的砷化镓芯片，特别是在各种高性能的用途中。

　　他还指出，这种技术将会越来越成熟，甚至能最终帮助研制出功能更为强大的硬件。

　　来自克里、雷神等芯片制造商的业内官员表示，向新型芯片的过渡进程已经开始。

　　洛克希德-马丁公司采用这种新型芯片的雷达系统部负责研究项目的高级经理汤姆·麦内利斯认为：“氮化镓有望使芯片的价格更为合理、效率更高且系统性能更为强大。”

　　业内及政府官员表示，与砷化镓相比，这种新型技术将使芯片的生产成本、外形尺寸、功率及效率得到大大改进。

　　氮化镓还可以具有比砷化镓材料高出7倍的热导率，这就意味着它的冷却要求较低，但可以具有更大的功率。

　　总的来说，氮化镓功率放大器对于手机电话基站、干扰发射台、战术射频、卫星通信站、配电系统以及军用雷达系统等高输出、高频率设备特别有用。

　　然而，对于手机及其他低功率用途的设备来说，砷化镓可能仍是最好的选择，因为这种材料在这个功率水平上性能表现非常出色。

　　雷神公司研究氮化镓技术的工程师柯林·惠兰认为，采用氮化镓材料的主动电子扫描相控阵雷达搜索能力相当于类似尺寸砷化镓雷达的5倍，或者说搜索范围可以扩大50%。甚至可以使雷达的尺寸缩小一半，但仍能具有更强大的性能。

    （来源：新华网）